أعلنت شركة سامسونج، الشركة الرائدة في تكنولوجيا بطاقات الذاكرة، عن تطويرها لبطاقة ذاكرة سعة 8 جيغابايت ثنائية صديقة للبيئة DDR3 DRAM. وتوفر هذه البطاقات والتي اجتازت اختبارات من قبل زبائن سامسونج أداء متفوق وذلك لكونها تستخدم رقائق تكنولوجيا ثلاثية الأبعاد والتي تعرف بـ “Through Silicon via”. وقال السيد سانغ سو روه، رئيس المقر العام لشركة سامسونج المشرق العربي: " يأتي إطلاقنا لهذا المنتج سعيا من شركة سامسونج لتوفير أعلى ميزات التقدم التكنولوجي من خلال تقنيات ذات أداء وجودة عاليين. كما نسعى بأن تكون منتجاتنا الجديدة صديقة للبيئة من خلال توفيرها للطاقة حيث ان بطاقات الذاكرة الجديدة هذه تتميز بأدائها السريع وسعته العالية." وقال الدكتور تشانغ هواين كيم، نائب الرئيس لهندسة وتخطيط منتجات رقائق الذاكرة: "نحن في مقدمة الشركات التي تلبي متطلبات السوق من خلال تكنولوجيا “Through silicon via” في نفس الوقت الذي يتقدم به هذا القطاع لتقديم تكنولوجيا توفر كفاءة في الأداء والعمليات. وتعتبر هذه الرقائق الجديدة، التي تعتمد معالجة تكنولوجيا 40 نانوميتر، منتج صديق للبيئة والذي من المتوقع ان يعزز ريادة سامسونج وشركائها في هذا القطاع." وتمتاز هذه الرقائق ثلاثية الأبعاد بتكنولوجيا “Through silicon via” بأنها توفر ما نسبته 40 بالمئة من الطاقة المستهلكة من خلال RDIMM. كذلك “Through silicon via” تسمح بالتحسين السريع في كثافة رقائق الذاكرة والتي من المتوقع أن تخفض مأخذ الذاكرة في الأجيال القادمة من انظمة السيرفير، وتزيد من كثافة DRAM بنسبة 50 بالمئة من يجعلها عملية أكثر بأداء مميز. وتعتبر هذه التكنولوجيا الجديدة الحل لتخفيض استهلاك الطاقة في السيرفير وزيادة في الطاقة الاستيعابية وتحسين الأداء، حيث من المتوقع ان تتوفر هذه التكنولوجيا في بداية عام 2012، بالإضافة إلى ذلك، فإن سامسونج تخطط لإنتاج رقائق ذاكرة تعتمد على معالجة تكنولوجيا 30 نانوميتر ذات أداء أعلى و تتميز بالتوفير في استهلاك الطاقة. انتهى |
Aucun commentaire:
Enregistrer un commentaire